• الصفحة الرئيسية
  • عنا
  • اتصل بنا
  • تسجيل
  • دخول
  • طلب
البحث المتقدم
  • الصفحة الرئيسية
  • Single electron transistor (SET)tunnelingquantum dotgraphene nano-ribbon
    • فهرس المقالات Single electron transistor (SET)tunnelingquantum dotgraphene nano-ribbon

      • حرية الوصول المقاله
        • صفحة الملخص
        • نص كامل

        1 - بررسی تاثیر تعداد اتمهای کربن موجود در عرض نوار نانومتری گرافنی بر جریان ترانزیستور تک الکترونی گرافنی
        داریوش دیدبان وحیده خادم حسینی
  • الصفحة الرئيسية
  • خريطة الموقع
  • مركز معلومات العلوم والتكنولوجيا الاقليمي
  • اتصل بنا

حقوق هذا الموقع الإلكتروني مملوكة لنظام Rimag Press Management. © 1438-1447

الصفحة الرئيسية| دخول| عنا| اتصل بنا|
[English] [فارسی] [en] [fa]
  • Ricest
  • دخول
  • email