فهرس المقالات Nonvolatile memorymagnetic tunnel Junction (MTJ)STT-MRAMwrite error rate (WER)process variation (PV) حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 1 - کاهش احتمال خطای نوشتن در حافظههای STT-RAM مبتنی بر اثر دمایی و با بهرهگیری از روش دوگانسازی منابع ولتاژ حمیدرضا زرندی شاهرخ جلیلیان